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      Hota TO252 N canal 30V 80a, puissance MOSFET, transpondeur smd hualichip, circuit intégré mos

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      Shenzhen Hualixin Electronic Technology Co., Ltd.3 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      P60N03LDG

      Type
      MOSFET Transistor

      Marque nom
      HLX

      Type de paquet
      Montage en Surface

      Autres attributs

      Point d'origine
      Taiwan, China

      Package/Boîte
      À-252-3, DPak (2 Conduit + Tab), SC-63

      d/c
      21 +

      Application
      PCB

      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine, L'agence

      Référence croisée
      HLX60N03LDG

      Médias Disponibles
      Fiche technique

      品名
      MOSFET N-CH 200V 19A DPAK

      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      Standard

      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      Standard

      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      Standard

      Courant-coupure de collecteur (Max)
      Standard

      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard

      Puissance Max
      Standard

      Fréquence-Transition
      Standard

      Température de fonctionnement
      -55 °C ~ 175 °C (TJ)

      Type de Support
      Montage en Surface

      Résistance-socle (R1)
      Standard

      Résistance-socle émetteur (R2)
      Standard

      FET Type
      N-Canal

      FET Caractéristique
      Standard

      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      30V

      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      80A (Tc)

      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      90mOhm @ 5A, 10V

      Vgs (th) (Max) @ Id
      4V

      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      51nC @ 10V

      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      1800pF @ 25V

      Fréquence
      Standard

      Courant nominal (ampères)
      Standard

      Facteur de bruit
      Standard

      Alimentation-Sortie
      Standard

      Tension Nominale
      Standard

      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      6V, 10V

      Vgs (Max)
      ± 20V

      Type IGBT
      Standard

      Configuration
      Unique

      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      Standard

      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      Standard

      Entrée
      Standard

      Thermistance NTC
      Standard

      Tension-panne (V (BR) GSS)
      Standard

      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Standard

      Vidange de courant (Id)-Max
      Standard

      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      Standard

      Résistance-RDS (On)
      Standard

      Tension
      Standard

      Tension-Sortie
      Standard

      Tension-décalage (Vt)
      Standard

      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      Standard

      Courant-vallée (Iv)
      Standard

      Courant-Crête
      Standard

      Applications
      Standard

      Partie Nombre
      P60N03LDG

      Emballage
      Bande et Bobine (TR)

      Description
      TO252 Mosfet

      Attribut
      RoHS

      Disponibilité
      En Stock

      DC
      New Original

      Catégorie
      MOSFET

      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      Vacuum packaging, foam packaging, anti-static packaging

      Unités de vente :
      Article unique

      Taille du paquet individuel :
      40X40X6 cm

      Poids brut par article :
      0.384 kg

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