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      RRS100N03-TB, Canal N 20V 12A SOP8 MOSFET de potencia original smd Transistor hualichip de ic mos RRS100N03-TB

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      Shenzhen Hualixin Electronic Technology Co., Ltd.3 yrsCN
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      Atributos clave

      Especificación esencial de la industria

      Número de Modelo
      RRS100N03-TB

      Tipo
      MOSFET Transistor

      Marca
      HLX

      Tipo de paquete
      Montaje superficial

      Otros atributos

      Lugar del origen
      Taiwan, China

      PAQUETE/cubierta
      SOP8, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

      d/c
      21+

      Uso
      PCB

      Tipo de Proveedor
      Fabricante Original, Agencia

      Referencia cruzada
      RRS100N03-TB

      Los medios disponibles
      Hoja de Datos

      品名
      MOSFET

      Corriente de colector (Ic) (máx.)
      standard

      -Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
      standard

      Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
      standard

      Corriente de colector de corte (Max)
      standard

      Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
      standard

      Poder-Max
      standard

      -Frecuencia de transición
      standard

      Temperatura de funcionamiento
      -55°C ~ 175°C (TJ)

      Tipo de Montaje
      Montaje superficial

      Resistencia Base (R1)
      standard

      Resistencia-emisor Base (R2)
      standard

      FET tipo
      N-Channel

      FET característica
      Estándar

      Tensión de drenador a fuente (Vdss)
      20V

      Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
      12A

      Rds (Max) @ Id Vgs
      12mΩ@10V

      Vgs (th) (Max) @ Id
      Standard

      La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
      Standard

      Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
      Standard

      Frecuencia
      Standard

      Corriente nominal (en amperios)
      Standard

      Ruido
      Standard

      Potencia de salida
      Standard

      -Tensión nominal
      Standard

      Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
      Standard

      Vgs (Max)
      Standard

      Tipo IGBT de
      Standard

      Configuración
      Standard

      Vce (on) (Max) @ Vge Ic
      Standard

      Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
      Standard

      De entrada
      Standard

      Termistor NTC
      Standard

      -Tensión de distribución (V (BR) GSS)
      Standard

      Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
      Standard

      Corriente de drenaje (Id).
      Standard

      -Tensión de corte (VGS) @ Id
      Standard

      Resistencia-On (RDS)
      Standard

      Tensión
      Standard

      Tensión de salida-salida
      Standard

      -Tensión Offset (Vt)
      Standard

      Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
      Standard

      Corriente de Valle Iv)
      Standard

      Corriente de pico
      Standard

      Aplicaciones
      Standard

      Part Number
      RRS100N03-TB

      Packaging
      Tape & Reel (TR)

      Description
      SOP8 MOSFET

      Attribute
      RoHS

      Availability
      In Stock

      DC
      new Original

      Category
      MOSFET

      Embalaje y entrega

      Paquete
      Vacuum packaging, foam packaging, anti-static packaging

      Puerto
      shenzhen

      Unidades de venta:
      Un solo artículo

      Tamaño de paquete único:
      40X40X6 cm

      Peso bruto único:
      0.384 kg

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